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GHD3440Rx電機(jī)專用柵極驅(qū)動器，提升了面向低壓應(yīng)用場景的驅(qū)動能力，集成的LDO電路可從，輸出誤差在2%以內(nèi)，確保在負(fù)載突變時保持最小電壓波動，增強(qiáng)抗干擾性能、提升開關(guān)效率；高度集成的可有效減少電路板空間、降低硬件成本，為用戶提供更多分立式電機(jī)系統(tǒng)設(shè)計解決方案。
支持5V~20V輸入電壓范圍，3.3V/5V邏輯輸入兼容，懸浮偏移電壓+200V，適用于各種電池供電直流無刷電機(jī)應(yīng)用方案；峰值輸出電流0.9A@15V、3.3nF負(fù)載上升時間90ns，峰值輸入電流1.1A@15V、3.3nF負(fù)載下降時間60ns，有效提高功率器件的開關(guān)速度，降低開關(guān)損耗。
內(nèi)置VCC/VBS欠壓（UVLO）保護(hù)功能，防止功率管在過低的電壓下工作；內(nèi)置基于輸入信號的直通防止和500ns典型死區(qū)時間保護(hù)電路，防止被驅(qū)動的高低側(cè)MOSFET直通，有效保護(hù)功率器件；內(nèi)嵌輸入、輸出下拉電阻，具備高DV/DT噪聲抑制能力，提供穩(wěn)定驅(qū)動能力；過溫保護(hù)閾值 151℃/131℃，確保在負(fù)載變化時系統(tǒng)能在安全溫度范圍內(nèi)正常工作。
GHD3440Rx電機(jī)專用柵極驅(qū)動器的推出，可滿足電機(jī)控制應(yīng)用對精簡電路、提高系統(tǒng)性能的需求。極海還將陸續(xù)推出滿足電機(jī)市場應(yīng)用需求的，具備先進(jìn)性、可靠性及高性價比的芯片及解決方案，并提供完善的工具鏈、多場景DEMO、以及快速周到的技術(shù)支持服務(wù)，為客戶提供一站式開發(fā)體驗(yàn)，滿足其深度開發(fā)需求。
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應(yīng)用。 APM32F035作為一款 32位FoC矢量控制MCU ，內(nèi)置 V ector
具有更寬的電源電壓范圍，可以承受這些瞬變(如下面討論的50v 和更高的
適合數(shù)字控制，在3D打印、家用電器、數(shù)控機(jī)床等多個領(lǐng)域已被廣泛應(yīng)用。但步進(jìn)
啟動，想設(shè)計一個分時復(fù)用電路，請各路大神提供一下思路。我現(xiàn)在的想法是，在
之間加開關(guān)，某一時刻，只開一個開關(guān)。但不知道如何設(shè)計開關(guān)。還請各位指教。
作為應(yīng)用全SiC模塊的應(yīng)用要點(diǎn)，本文將在上一篇文章中提到的緩沖電容器基礎(chǔ)上，介紹使用
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、
芯片3955引腳及功能介紹(1)3955概述及其引腳功能由Allegro公司生產(chǎn)的3955是一種用來
全球領(lǐng)先的整合單片機(jī)、混合信號、模擬器件和閃存專利解決方案的供應(yīng)商——Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）近日宣布
2017年3月14日，致力于亞太地區(qū)市場的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商大聯(lián)大宣布，其旗下世平
應(yīng)用的尺寸和重量。當(dāng)兩者結(jié)合使用時，DRV832x無刷直流（BLDC）
和CSD88584/99 NexFET?電源模塊只需占用511 mm2的電路板空間，僅為其他同類解決方案的一半。
按設(shè)定的方向轉(zhuǎn)動一個固定的角度(稱為“步距角”)，它的旋轉(zhuǎn)是以固定的角度一步一步運(yùn)行
近日，專注于高壓集成電路高能效電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的Power Intergration（PI）宣布進(jìn)入
，可適配國內(nèi)外各種品牌，電流在3.5A及以下，外徑39，42，57mm的四線，六線，八線兩相混合式步進(jìn)
?？蓪?shí)現(xiàn)正反轉(zhuǎn)控制，通過 3 位撥碼開關(guān)選擇 7 檔細(xì)分控制（1，2/A，2/B，4，8，16，32，），通過 3 位撥碼開關(guān)選 擇 8
運(yùn)動控制和節(jié)能系統(tǒng)傳感和功率解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)廠商Allegro MicroSystems（以下簡稱Allegro）今天
能夠高效地滿足電動汽車對于靈活且可靠解決方案的迫切需求，完全集成的全新
摘要 IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、
【2022年7月6日，德國慕尼黑訊】憑借其眾多優(yōu)點(diǎn)，三相無刷直流（BLDC）
可簡單可復(fù)雜，具有集成米勒箝位、分離輸出或絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 發(fā)射
進(jìn)行特性對比。在電路構(gòu)成中，有上次介紹過的電解電容器和薄膜電容器。在不使用
誤導(dǎo)通對策，增加微法級的CGS，對VGS施加-5V作為負(fù)偏壓（搭載第二代SiCMOSFET的全SiC模塊）。
IC、MOSFET以及某些情況下用到的相關(guān)無源元件時，有很多需要考量的設(shè)計因素。如果對這個過程了解不透徹，將導(dǎo)致實(shí)現(xiàn)方式的差強(qiáng)人意。
的撥碼開關(guān)可以改變其工作模式和參數(shù)設(shè)置，以滿足不同的應(yīng)用需求。下面是一個詳細(xì)解釋如何調(diào)整步進(jìn)
控制系統(tǒng)，MicrochipTechnologyInc.（微芯科技公司）
全球半導(dǎo)體巨頭英飛凌科技股份公司，在功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域持續(xù)領(lǐng)先，近日針對高電壓要求的24/48 V市場，
類型，在工業(yè)自動化、精密測量、數(shù)控機(jī)床等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。然而，步進(jìn)
研究機(jī)構(gòu)Yole Group預(yù)計，其市場規(guī)模有望在2027年達(dá)到27億美元。
（Gate Driver）是一種電路，主要用于增強(qiáng)場效應(yīng)晶體管（MOSFET）或絕緣柵雙
能夠滿足特定的應(yīng)用需求。以下是一個詳細(xì)的指南，幫助您在選擇過程中做出明智的決策。
?。次覀兂Ｕf的預(yù)驅(qū)），以及功率 MOSFET/IGBT。本文介紹了PAC智能
服務(wù)熱線